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4GBのHBM2断面図(左)と8GBのHBM2断面図＝サムスン電子提供//ハンギョレ新聞社

　サムスン電子がデータの書込及び読取速度を既存最高性能のDRAMより7倍以上高めた「4ギガバイト(GB)高帯域幅メモリー(HBM2DRAM)」モジュールの量産を始めたと19日明らかにした。 DRAMは高集積の半導体記憶装置だ。 今回の量産を契機にサムスン電子のメモリーモジュール製品事業が高性能コンピュータに使われるプレミアム製品を中心に再編しうる準備が整った。

　今回量産に入った高帯域幅メモリーモジュールは「シリコン貫通電極(TSV)」という技術を利用してデータ処理速度を高め、電力消費量を減らし、ボード装着時に占める面積を減らしたことが特徴だ。 シリコン貫通電極は一般の紙の厚さの半分以下に削り5千個以上の穴をあけたメモリーチップを順に積み上げた後に穴で線を連結する方式だ。

　今回の製品は2世代規格(HBM2)を適用し、既存の1世代規格製品より速度が2倍程度速い。 次世代グラフィックカードと超高性能コンピューティング環境で要求される超節電、超スリム、高信頼性を実現した。 サムスン電子は昨年10月、128ギガDDR4のDRAMモジュールを量産し、超高速メモリーに比重を高めたのに続き、2カ月後に2世代高帯域幅メモリー規格モジュールの量産に成功して次世代グラフィックDRAM市場を先行獲得したと評価される。 サムスン電子は今年上半期中これより容量を2倍に増やした8ギガ製品も量産に入る計画だ。

　サムスン電子は「今までに開発されたDRAMの中で最も速い4ギガGDDR5(9Gbps)に比べてデータ処理速度は7倍以上速く、ボード装着時に占める面積は5％水準になる」と説明した。