スーパーコンピューター・サーバー用の高付加価値メモリー
ライバルメーカーに最大2年の技術格差と評価
サムスン電子が、既存の4世代V-NANDより1.4倍速い「5世代256Gb V-NAND」を世界で初めて本格量産すると7日、明らかにした。業界では、今回の量産によりサムスン電子はSKハイニックスやマイクロンなどライバルメーカーに6カ月から多くて2年ほど技術格差を広げたと評価されている。
5世代V-NANDは、3次元CTFセルを90段以上積む方式で作られた。この製品は、単層をピラミッド形に積み、最も上段から下の段まで垂直に数百ナノメートルの微細な穴を貫通させデータを保存する「3次元(円筒形)CTFセル(CELL)」を850億個以上形成する技術が適用された。特に段数を上げるのに比例して高まるセル領域の高さを20％も低くする技術を開発し、4世代製品より生産性が30％以上高まった。次世代NANDインターフェース規格を適用し、1秒当たりのデータ伝送速度が4世代V-NANDより1.4倍高速だ。
サムスン電子は、5世代V-NANDの性能と生産性を最大化するために独自開発した3大革新技術を適用した。既存の4世代V-NANDと同じ消費電力量を実現した「超高速・低電圧動作回路」技術と、大容量保存とモバイル機器のための「高速書き込み・最短読み取り応答待ち時間回路」技術、セル動作の正確性を高め判読範囲を広げた「タングステン原子層薄膜工程」技術だ。
キョン・ケヒョン・サムスン電子メモリー事業部フラッシュ開発室長(副社長)は「5世代V-NANDを適期に開発し、急速に成長するプレミアムメモリー市場に差別化された製品とソリューションをリリースすることになった」として「今後1Tb(テラビット)とQLC(Quad Level Cell)製品までV-NANDラインナップを拡大し、次世代メモリー市場の変化を加速するだろう」と話した。
サムスン電子は、5世代V-NANDの生産比重を早期に拡大し、スーパーコンピューターからエンタープライズサーバー、モバイル市場まで高容量化トレンドを持続的に主導していく計画だ。
訳J.S
