韓国検察、世界初の「Ｋ半導体技術」を中国に流出したサムスン元幹部ら１０人を起訴
「中国初のDRAM開発」CXMTに流出
サムスン電子から中国の半導体大手「長鑫存儲技術（CXMT）」に転職し、DRAM工程の国家重要技術を流出した疑いで、サムスン電子の元役員らを含む10人を起訴したと韓国検察が発表した。
ソウル中央地検・情報技術犯罪捜査部（キム・ユニョン部長）は23日、サムスン電子が世界で初めて開発した10ナノ台DRAMの最新の工程技術を流出した事件の捜査結果を発表し、「サムスン電子の元常務でCXMTの開発室長のY容疑者を含む5人を拘束起訴し、パート別の開発責任者ら5人を在宅起訴した」と述べた。彼らには産業技術保護法違反（国家重要技術の国外流出など）の容疑が適用された。
検察は、中国現地で行われた開発の全過程の犯行を直接捜査し確認したと明らかにした。検察は捜査過程でサムスン電子の研究員がCXMTに転職し、数百段階の工程情報を書き写して流出した事実、これをもとにCXMTがSKハイニックスの核心技術をさらに確保した後、中国初のDRAMの量産に成功した事実などを確認した。
検察は10月、Y氏と共にサムスン電子研究院出身のS氏やK氏などCXMTの半導体開発の中心人物3人を拘束起訴した。さらに昨年1月にはサムスン電子部長出身のCXMT1期開発室長のK容疑者を、5月にはサムスン電子研究員出身のC氏を重要技術不正取得疑惑で拘束起訴した。以後、関連工程担当者ら5人を在宅起訴し、計10人を裁判にかけた。
彼らはサムスン電子のDRAM製品を分解して流出資料を検証し、これをもとに製造テストを進めてDRAMを開発しており、2023年に18ナノDRAMの量産に成功したことが明らかになった。Y氏らはCXMTから4〜6年間にわたりそれぞれ15億〜30億ウォン（約1億6100万円〜3億2300万円）の給与を受け取ったという。
検察は「国内で発生した流出犯行はもちろん、中国現地での開発犯行の全貌を明らかにし、現地で開発を進めた開発室長と開発チーム長、首席を全員拘束した」とし、「海外で行われた技術流出犯罪でも、必ず相応する処罰が伴うというメッセージを伝播し、犯罪防止に大きな役割を果たすだろう」と強調した。
訳H.J
