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李在明大統領が昨年11月16日、ソウル龍山の大統領室で開かれた「韓米関税交渉のフォローアップに関する官民合同会議」で発言している＝大統領室写真記者団//ハンギョレ新聞社

　韓国政府が29日に公開する「大韓民国大飛躍3大メガプロジェクト」は、サムスン電子とSKハイニックスの「湖南（全羅道地域）半導体クラスター」作りを含め、その規模が2千兆ウォン（約210兆円）前後になることが分かった。嶺南（慶尚道地域）・湖南および忠清圏を網羅する大規模な投資計画であり、李在明（イ・ジェミョン）政権の「5極3特」（5つの超広域圏、3つの特別自治道）戦略を象徴する最大の産業プロジェクトとなる見通しだ。

　カン・ユジョン大統領府首席報道官の28日の発表によると、李在明大統領は29日午後2時、大統領府の迎賓館で3大メガプロジェクトの国民報告会を開催する。この日の行事には、サムスン電子のイ・ジェヨン会長とSKグループのチェ・テウォン会長が出席し、中長期の地域投資計画を自ら発表する予定だ。当初は最高経営責任者（CEO）を中心に行事が行われる予定だったが、事案の重大性を考慮し、グループのトップが出席することになった。

　李大統領が「回復から大飛躍へ、超格差（2位が越えられないほどの圧倒的な1位）の大韓民国」というテーマで基調演説を行った後、産業通商部、科学技術情報通信部など各省庁の長官らが、半導体クラスター ▽フィジカルAI▽ギガワット（GW）級AIデータセンター（AIDC）を含む3大プロジェクトを発表する。その後、サムスン電子とSKグループが具体的な地域投資計画を公開する。企業が提示する投資規模を合わせると、2千兆ウォン前後になることが、ハンギョレの取材で明らかになった。

　この日の発表で中心となるのは、サムスン電子とSKハイニックスが全羅道地域に作る大規模な半導体クラスターに関する内容だ。これに先立ち、両社は全羅道地域に半導体製造の後工程（パッケージング）工場を建設する案を優先的に検討していたが、後工程だけでなく前工程に該当するファブ（生産ライン）もすべて建設する方向へと方針を転換した。

　忠清道圏と慶尚道圏への投資案も発表される。忠清圏への投資としては、サムスン電子の温陽（オニャン）キャンパスにおける後工程生産拠点の拡大と、サムスン・ディスプレイの牙山（アサン）・天安（チョナン）キャンパスへの投資拡大案が含まれているとみられる。ハイニックスも忠清北道清州（チョンジュ）のNANDフラッシュ工場の増設を推進するという。慶尚圏への投資案としては、サムスンSDIの蔚山（ウルサン）事業所とサムスン電機の釜山（プサン）事業所への投資拡大が含まれる見通しだ。サムスンは半導体とディスプレイへの投資拡大案を、SKは半導体と人工知能（AI）データセンターへの投資拡大案を重点的に発表するものとみられる。

　首都圏については、京畿道龍仁（ヨンイン）の半導体クラスター作りを可能な限り前倒しする案が含まれる予定だ。キム・ジョングァン産業通商部長官はこの日、フェイスブックで「サムスン電子とハイニックスも、龍仁半導体クラスターを当初の計画より前倒しして構築することにした」とし、「サムスン電子は7年、ハイニックスは12年も前倒しして生産を開始する計画だ」と述べた。許認可の迅速な処理や電力供給網に対する国費支援の拡充なども、この日の発表に含まれるものとみられる。

　政府は、企業の投資だけに頼らないという意向を明確に示した。政府の主要関係者はハンギョレの取材に対し、「半導体産業は時間、資金、設備との戦いだ。いずれ需要が減少する時期が来るだろうが、対応しきれない現在の需要に乗り、供給の独占力を維持するためには、中国などの競合国よりも早く初期コストによる参入障壁を築けるようにしなければならない。国全体が総力を挙げて取り組むべき状況だ」と語った。キム・ヨンボム大統領府政策室長も同日、フェイスブックへの投稿で「スピード」を強調し、半導体好況によって生じた過剰流動性を、全羅道圏の半導体クラスターの構築と、それを通じた若者の雇用創出に充てると述べた。