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原文入力:2011-01-04午後08:15:26(716字)

キム・ギョンナク記者

三星電子が世界で初めて次世代メモリー半導体 DDR4 DRAMの開発に成功した。
三星電子は4日 「現在のDRAM主力製品であるDDR3 DRAMより速度が２倍程速く消費電力も低い親環境DRAMであるDDR4 DRAMを開発した」と明らかにした。PCや大容量サーバー、ノートブックなどに入るDRAMは情報伝達速度によりDDR、DDR2、DDR3に分かれている。

去る1998年にDDR DRAM開発を始め‘DRAM世代’が変わる度に常に最も先立って開発に成功してきた三星電子はDDR4 DRAMでもやはり世界最初に開発に成功し、メモリー半導体成功神話を継続することになった。競争業者に一歩先んじるDRAM製造技術を再度確認したわけだ。昨年9月末現在の世界DRAM市場で三星電子が占める占有率は40.7%に達している。今回開発された次世代DRAMは来る2012年から量産される。

チョン・ドンス三星電子半導体事業部メモリー担当社長は「毎年アップグレードされた‘グリーンメモリー’戦略で情報技術(IT)業界で親環境製品を発売することに積極的に協力してきた」として「今回開発したDDR4 DRAM技術で顧客に‘グリーンメモリー’製品に対する信頼を一層高めることができることになった」と明らかにした。

キム・ギョンナク記者 sp96＠hani.co.kr

原文: 訳J.S