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サムスン電子の業界最先端14ナノDDR5DRAM＝サムスン電子提供//ハンギョレ新聞社

　サムスン電子は12日、極紫外線（EUV）工程を適用した業界最先端の14ナノDRAMの量産に入ったと明らかにした。

　これに先立ち、サムスン電子は昨年3月、業界で初めてEUV工程を適用したDRAM（10ナノ台第1世代）モジュールを顧客企業に供給している。今回は業界で唯一EUVマルチレイヤー工程を適用し、最先端の14ナノDRAM（10ナノ台第4世代）を製作した。EUV露光技術を適用すれば、半導体回路をより精密に具現化することができ、DRAMの性能と収率を向上させることができる。

　5つのレイヤーにEUV工程が適用されたサムスン電子の14ナノDRAMは、業界最高のウェハー集積度で、前世代に比べ約20％生産性が向上したとサムスン側は説明する。消費電力も前工程に比べ約20％改善された。

　サムスン電子は、今回の新規工程を最新のDDR5DRAMにまず適用する。DDR5は最高7.2ギガビット毎秒の速度で、DDR4に比べ2倍以上速い次世代DRAM規格だ。最近、人工知能（AI）やマシンラーニングなどデータ利用方式が高度化していることを受け、データセンターやスーパーコンピューター、企業向けサーバー市場などで高性能のDDR5に対する需要が高まり続けている。サムスン電子は今後、高容量データ市場の需要に積極的に対応するために、今回の工程で単一チップの最大容量である24ギガバイトDRAMまで量産する計画だ。

　一方、市場調査機関オムディア（Omdia）の集計によると、サムスン電子の今年第2四半期（4～6月）のDRAMシェアは43.2％で、トップ3企業（サムスン電子、SKハイニックス半導体、マイクロン）の中で唯一第1四半期に比べシェアが上昇するなど、堅実な1位の座を維持した。