ＳＫハイニックス、「超高速・低電力」１０ナノ級６世代ＤＲＡＭを世界初開発
SKハイニックス ニュースルーム提供//ハンギョレ新聞社
SKハイニックスは、10ナノ級第6世代（1c）プロセスを適用した16ギガビット（Gb）低電力DRAM（LPDDR6）を世界で初めて開発したと10日発表した。
これは、メモリチップの回路線幅が10ナノメートル（nm・1ナノメートルは10億分の1メートル）級の最新6世代DRAM微細プロセスを適用した製品だ。同社は「今年上半期に量産準備を完了し、下半期から製品を供給して、人工知能（AI）実装に最適化した汎用メモリ製品ラインアップを構築する」と述べた。
この製品は消費電力が少ないメモリであるため、デバイス自体にAI機能を実装する「オンデバイスAI」を搭載したスマートフォンやタブレットなどのモバイル製品に主に活用される見込みだ。
ハイニックスは「データ処理の速度を前世代比で33％向上させ、動作速度も基本で秒間10.7ギガビット以上となり、既存製品の最大値を上回っている」と説明した。また、電力消費も前世代製品と比較して20％以上削減したと補足した。
パク・チョンオ記者 (お問い合わせ japan@hani.co.kr )
https://www.hani.co.kr/arti/economy/economy_general/1248625.html韓国語原文入力:2026-03-10 17:10
訳J.S
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