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SKハイニックスの龍仁半導体クラスターの概観図=SKハイニックス提供//ハンギョレ新聞社

　SKハイニックスが54兆ウォンを投じて龍仁（ヨンイン）と清州（チョンジュ）の新規半導体工場（ファブ）建設に着手する。人工知能（AI）メモリの供給拡大に向けた1100兆ウォン規模の超大規模投資戦略を本格的に実行に移すものだ。

　SKハイニックスは7日の取締役会で、龍仁半導体クラスター第2期ファブ（Y2）の建設に35兆2000億ウォン（約3兆9300億円）、清州ファブ（M17）に19兆1000億ウォン（約2兆1300億円）、計54兆3000億ウォン（約6兆1000億円）を投資することを決定したことを発表した。AIメモリの需要急増と供給不足に対応するため、龍仁と清州にそれぞれ1カ所、計2カ所のメモリ半導体工場を優先的に建設するという。

　龍仁の第2期ファブは、SKハイニックスが龍仁半導体クラスター内に建設する4つの半導体工場のうち、2番目に建設されるものだ。延べ床面積は34万1000坪で、来年7月に着工し、2029年6月に最初のクリーンルームを完成させる計画だ。投資期間は2031年10月まで。同社はこの工場を、AI向けの高帯域幅メモリ（HBM）をはじめとする次世代D-RAMの生産拠点とする予定だ。

SKハイニックスが忠清北道清州市に建設予定の新たなNAND型フラッシュメモリ工場（M17）の概観図=SKハイニックス提供//ハンギョレ新聞社

　清州の新規ファブは、忠清北道清州市にある同社のNAND型フラッシュメモリの生産拠点となっている清州キャンパス内に建設され、延べ床面積は20万6000坪。来年2月に着工し、2028年12月に最初のクリーンルームを開設する予定だ。SKハイニックスは、新工場が清州内の既存のNAND生産工場（M11、M12、M15）とともに、新たなNAND型フラッシュメモリ生産拠点として機能することを期待している。投資金の執行は2031年4月まで段階的に進められる予定だ。

　今回の投資決定は、SKハイニックスが6月29日に発表した中長期投資戦略の後続措置。この戦略は、龍仁半導体クラスターに約600兆ウォン（約67兆円）、清州生産基地に約100兆ウォン（約11兆2000億円）、西南圏（全南光州）クラスターに約400兆ウォン（約44兆7000億円）の計約1100兆ウォンを投資してメモリ生産施設を拡充することが骨子となっている。

　SKハイニックスは、当初2045年に予定されていた龍仁半導体クラスター（ファブ第4期）の完成時期を2033年までへと12年早めることを目標にしている。現在建設中の龍仁第1期ファブ（Y1）は、来年2月に最初のクリーンルームのオープンを控えている。

　同社はこの日、「今回の投資は、市場の成長スピードに合わせてその機会を逃さないための決定」だとして、「先制的な生産基盤の確保を通じて、グローバルなAI半導体サプライチェーンの安定に貢献するAIインフラの核となるパートナーとしての地位を確立する」と述べた。