hankyoreh

原文入力:2011-05-04午前11:35:17(1494字)
成功の真偽巡り半信半疑
量産すれば国内企業等‘狼狽’
油断して後頭をはたかれたの指摘も

キム・ジェソプ記者

←主要半導体業者の設備投資推移

世界3位DRAM半導体業者の日本エルピーダが25ナノ微細工程技術を適用した2ギガバイトDRAM開発に成功したと明らかにし、DRAM市場占有率1・2位業者である三星電子とハイニックス半導体にどんな影響を及ぼすかに関心が集まっている。大きく心配するほどの状況ではないとの意見もあるが、国内企業等が設備投資を先送りした状態で多少油断していて狼狽することにならないかとの憂慮も出ている。
日本<日本経済新聞>は去る2日、エルピーダが25ナノ回路線幅2ギガバイトDRAM開発に成功したと報道した。この新聞は続けてエルピーダが来る7月、広島工場で25ナノDRAMの量産を始めることにしたとし、エルピーダが半導体微細工程技術競争で一歩先んじていた三星電子を追い越したと評価した。

半導体業界で25ナノDRAMが開発されたのは初めてだ。現在、三星電子は35ナノ、ハイニックス半導体は38ナノDRAMを量産中だ。両業者は20ナノDRAM量産時期を今年下半期ぐらいと捉え技術開発している状態だ。25ナノDRAMは35ナノDRAMに比べチップの中の回路の役割をする線幅がさらに狭いためにチップの大きさをそれだけ減らすことができる。結局、ウェハー一枚から生産できるチップ数が増えるだけでなく、チップのコスト競争力も高く、より一層高い水準の技術力がなければならないのはもちろんだ。一般的に回路線幅が10ナノ減る度に生産性が60%増加すると知られている。

エルピーダが予定通りに来る7月に25ナノDRAM量産に入る場合、生産性と原価競争力面で国内企業等に先んじることになる。三星電子とハイニックスはこの間、日本と台湾企業等のDRAM量産技術が40ナノ級に留まっているという点を挙げ、技術格差を1年近く広げたと強調してきた。

国内企業等はエルピーダの25ナノDRAM開発成功発表にひとまず半信半疑の雰囲気だ。ある業者関係者は「エルピーダは2009年に40ナノ級DRAMを量産すると発表したがまだまともには製品を出しておらず、今年はじめに発表した30ナノ級DRAM生産計画も同じく全く知らせがない」と指摘した。また他の業者関係者は「エルピーダが明らかにした今年の投資金額が5000億ウォン程度にしかならず、25ナノDRAM生産体制を整えるのには力不足」であり「エルピーダが30ナノ級を飛び越えて25ナノへ進んだことも前後が合わない」と話した。

だが、業界の一角では国内企業等が過度に油断して後頭部をはたかれたという分析も出ている。今年予定された三星電子の設備投資額は92億ドルで、昨年の109億4800万ドルから16%減った。世界上位10ヶ業者の全体設備投資規模が昨年より25%増えたこととは対比される。ある業界専門家は「DRAM技術はインテルとマイクロソフトなどの性能審査過程を経てこそ公式に開発に成功したと発表できるという点で、エルピーダ発表も偽りではないだろう」とし「国内企業等が技術開発競争でしてやられたと見られる」と指摘した。

キム・ジェソプ記者 jskim＠hani.co.kr

原文: https://www.hani.co.kr/arti/economy/economy_general/476292.html 訳J.S